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锑化镓（GaSb）是一种化合物半导体材料，属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。它具有闪锌矿型晶体结构，直接带隙材料，禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。

磷化铟，是一种无机化合物，化学式为InP，为银灰色单晶，极微溶于无机酸，主要用作半导体材料

砷化镓和磷化镓都是化合物半导体材料，它们在结构和性质上有一些不同之处。

砷化镓是一种重要的半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、高线性以及低噪声等特点，广泛应用于光电和射频领域。作为第二代半导体的代表材料，砷化镓在光电子和微电子工业中发挥着至关重要的作用。