锑化镓（GaSb）简介

锑化镓（GaSb）是一种化合物半导体材料，属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。它具有闪锌矿型晶体结构，直接带隙材料，禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。

在光通信领域，为了减少传输中的损耗，总是尽可能采用较长波长的光。在所有Ⅲ-Ⅴ族材料中，GaSb作为衬底材料引起了更多的注意，因为它可以与各种Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配，这些材料光谱的范围在（0.8～4.0）μm之间，正好符合要求。

另外，利用GaSb基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长（8～14）μm范围的探测器。除了在光纤通信中有巨大的潜在应用价值外，GaSb基材料制造的器件在其他领域也有很大的潜在应用价值，如制作多种用途的红外探测器件及激光器、火箭和监视系统中的红外成像器件，用于火灾报警和环境污染检测的传感器，监测工厂中腐蚀气体（如HCl等）和有毒气体的泄漏的传感器等。

总的来说，GaSb是一种具有广泛应用潜力的化合物半导体材料。